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FDC655BN_NBNN007
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | FDC655BN_NBNN007 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 25mOhm @ 6.3A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 800mW |
| Lieferanten-Gerätepaket | SuperSOT™-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 620pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.3A |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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