Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

FDC637BNZ

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDC637BNZ
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 895pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 4713 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NTZS3151PT1G
ON Semiconductor
$0
NTS4173PT1G
ON Semiconductor
$0
IRLML2060TRPBF
Infineon Technologies
$0
SSM3K357R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DMN3018SSS-13
Diodes Incorporated
$0