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FDC606P

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDC606P
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 26mOhm @ 6A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1699pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 72000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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