FDC5614P
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDC5614P |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 105mOhm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.6W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | SuperSOT™-6 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 24nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 759pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 41212 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1