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FDC5614P

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDC5614P
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 105mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 759pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 41212 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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