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FDB7030L_L86Z

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDB7030L_L86Z
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.) 68W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2440pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 94 pcs

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