Image is for reference only , details as Specifications

FDB3652

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDB3652
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 53nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2880pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

EKV550
Sanken
$1.15
IRL3803STRRPBF
Infineon Technologies
$1.14
AOB284L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.14
NVMFS6H858NWFT1G
ON Semiconductor
$1.14
IRFB7734PBF
Infineon Technologies
$1.14