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FDB1D7N10CL7

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDB1D7N10CL7
Beschreibung: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 700µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V
Verlustleistung (Max.) 250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max.) 163nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 11600pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 268A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 15V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.88 $7.72 $7.57
Minimale: 1

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