Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FDB0260N1007L
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | FDB0260N1007L |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.6mOhm @ 27A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-263-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 118nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 8545pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 56 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
