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FDB0165N807L

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDB0165N807L
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 310A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.6mOhm @ 36A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max.) 304nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 23660pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 310A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 965 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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