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FCP600N65S3R0

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCP600N65S3R0
Beschreibung: SUPERFET3 650V TO220 PKG
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® III
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 54W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 465pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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