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FCP099N65S3

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCP099N65S3
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® III
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 227W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 61nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2480pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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