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FCH190N65F-F085

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCH190N65F-F085
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 27A, 10V
Verlustleistung (Max.) 208W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 82nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3181pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.61 $4.52 $4.43
Minimale: 1

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