FCH110N65F-F155
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FCH110N65F-F155 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | FRFET®, SuperFET® II |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 110mOhm @ 17.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 357W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 Long Leads |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 145nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4895pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 67 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.35 | $3.28 | $3.22 |
Minimale: 1