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FCB36N60NTM

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCB36N60NTM
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SupreMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer FCB36N60
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (Max.) 312W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 112nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4785pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1678 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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