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FCA20N60-F109

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCA20N60-F109
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Teilenummer FCA20N60
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 208W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Gate Charge (Qg) (Max.) 98nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3080pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.58 $2.53 $2.48
Minimale: 1

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