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EMF5XV6T5G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMF5XV6T5G
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Basis-Teilenummer EMF
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket SOT-563
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 12V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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