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EMF18XV6T5G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | EMF18XV6T5G |
| Beschreibung: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Basis-Teilenummer | EMF |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Frequenz - Übergang | 140MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-563 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 47kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V, 60V |
Auf Lager 92 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.13 | $0.13 | $0.12 |
Minimale: 1
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