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EGP30J

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: EGP30J
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Diodentyp Standard
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall DO-201AD, Axial
Basis-Teilenummer EGP30J
Kapazität - Vr, F 75pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-201AD
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 3A
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.7V @ 3A

Auf Lager 113 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.64 $0.63 $0.61
Minimale: 1

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