Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
EFC6602R-A-TR
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | EFC6602R-A-TR |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH EFCP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFBGA, FCBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | EFCP2718-6CE-020 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 55nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Auf Lager 95 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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