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EFC6602R-A-TR

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: EFC6602R-A-TR
Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFBGA, FCBGA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Lieferanten-Gerätepaket EFCP2718-6CE-020
Gate Charge (Qg) (Max.) 55nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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