Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
ECH8601M-TL-H-P
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | ECH8601M-TL-H-P |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 23mOhm @ 4A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-ECH |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.5nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Ta) |
Auf Lager 54 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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