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ECH8309-TL-H

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ECH8309-TL-H
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-ECH
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1780pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 2886 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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