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EC3H02BA-TL-H

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: EC3H02BA-TL-H
Beschreibung: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 8.5dB
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 100mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 7GHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-ECSP1006
Rauschfigur (dB-Typ f) 1dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 70mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 20mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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