Image is for reference only , details as Specifications

DTA123JM3T5G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: DTA123JM3T5G
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 260mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer DTA123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SOT-723
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DTA123JET1G
ON Semiconductor
$0
DTA123JET1
ON Semiconductor
$0
DTA123EET1G
ON Semiconductor
$0
DTA123EET1
ON Semiconductor
$0
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor
$0