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BUB323ZG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BUB323ZG
Beschreibung: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 150W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer BUB323
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 2MHz
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Vce Sättigung (Max.) 1.7V @ 250mA, 10A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 500 @ 5A, 4.6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

Auf Lager 195 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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