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BS108G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BS108G |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Verlustleistung (Max.) | 350mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92-3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 150pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 250mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 2.8V |
Auf Lager 84 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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