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BD435S

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BD435S
Beschreibung: TRANS NPN 32V 4A TO-126
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 36W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BD435
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 3MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-126-3
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 32V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.23 $0.23 $0.22
Minimale: 1

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