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BD159G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BD159G
Beschreibung: TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 20W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BD159
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-225AA
Vce Sättigung (Max.) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 50mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

Auf Lager 1467 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.56 $0.55 $0.54
Minimale: 1

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