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ATP218-TL-H

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: ATP218-TL-H
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall ATPAK (2 leads+tab)
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.8mOhm @ 50A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ATPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 70nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6600pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 81 pcs

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