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55GN01CA-TB-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: 55GN01CA-TB-E
Beschreibung: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 9.5dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 4.5GHz
Lieferanten-Gerätepaket 3-CP
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.9dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 70mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 10V

Auf Lager 2980 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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