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4N35TVM

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Datenblatt: 4N35TVM
Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Serie -
Verpackung Tube
Eingabetyp DC
Ausgabetyp Transistor with Base
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Basis-Teilenummer 4N35
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 4170Vrms
Vce Sättigung (Max.) 300mV
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C
Aufstiegs-/Fallzeit (Typ) -
Spannung - Ausgang (Max) 30V
Lieferanten-Gerätepaket 6-DIP
Strom - Ausgang / Kanal -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Max.) -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min) 100% @ 10mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V
Ein- / Ausschaltzeit einschalten (Typ) 2µs, 2µs
Strom - DC Forward (If) (Max) 60mA

Auf Lager 5024 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.63 $0.62 $0.61
Minimale: 1

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