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2SK4209

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SK4209
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tray
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.08Ohm @ 6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PB
Gate Charge (Qg) (Max.) 75nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 56 pcs

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