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2SK3666-2-TB-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - JFETs
Datenblatt: 2SK3666-2-TB-E
Beschreibung: JFET NCH 30V 200MW 3CP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - JFETs
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Widerstand - RDS(On) 200 Ohms
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket 3-CP
Stromabfluss (Id) - Max 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Spannung - Cutoff (VGS aus) 180mV @ 1µA
Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) 600µA @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4pF @ 10V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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