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2SJ661-1E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SJ661-1E
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 38A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 39mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 80nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4360pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 162 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.15 $2.11 $2.06
Minimale: 1

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