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2SD1816T-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SD1816T-E
Beschreibung: TRANS NPN 100V 4A TP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer 2SD1816
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 180MHz
Lieferanten-Gerätepaket TP
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 500mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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