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2SC6017-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SC6017-E
Beschreibung: TRANS NPN 50V 10A TP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 950mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket TP
Vce Sättigung (Max.) 360mV @ 250mA, 5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 1A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 1643 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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