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2SC5551AE-TD-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: 2SC5551AE-TD-E
Beschreibung: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1.3W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 3.5GHz
Lieferanten-Gerätepaket PCP
Rauschfigur (dB-Typ f) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 300mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 90 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 69 pcs

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