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2SC5415AF-TD-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: 2SC5415AF-TD-E
Beschreibung: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 9dB
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 800mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 6.7GHz
Lieferanten-Gerätepaket PCP
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.1dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 90 @ 30mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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