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2SC3646S-P-TD-E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SC3646S-P-TD-E
Beschreibung: TRANS NPN 100V 1A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang 120MHz
Lieferanten-Gerätepaket PCP
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 40mA, 400mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 140 @ 100mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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