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2N7000BU_T

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2N7000BU_T
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO92
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Teilenummer 2N7000
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 400mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 50pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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