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2N6667G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | 2N6667G |
| Beschreibung: | TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Basis-Teilenummer | 2N6667 |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
| Vce Sättigung (Max.) | 3V @ 100mA, 10A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 10A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 1000 @ 5A, 3V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 60V |
Auf Lager 1952 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.89 | $0.87 | $0.85 |
Minimale: 1
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