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2N5639G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - JFETs |
| Datenblatt: | 2N5639G |
| Beschreibung: | JFET N-CH 35V 0.31W TO92 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - JFETs |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 310mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Basis-Teilenummer | 2N5639 |
| Widerstand - RDS(On) | 60 Ohms |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92-3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Spannung - Aufschlüsselung (V(BR)GSS) | 35V |
| Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) | 25mA @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 10pF @ 12V (VGS) |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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