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2N5551RLRA

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N5551RLRA
Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 625mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer 2N5551
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 300MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92-3
Vce Sättigung (Max.) 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 160V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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