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2N2906

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N2906
Beschreibung: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 400mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer 2N2906
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-18
Vce Sättigung (Max.) 1.6V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 150mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 40V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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