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PSMN8R5-100ESQ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN8R5-100ESQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 263W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 111nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5512pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 5116 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.61 $1.58 $1.55
Minimale: 1

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