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PSMN8R5-100ESFQ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN8R5-100ESFQ
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3, Short Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.8mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 183W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 44.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3181pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 97A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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