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PSMN6R3-120ESQ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN6R3-120ESQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.7mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 405W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 207.1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 11384pF @ 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 450 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.41 $2.36 $2.31
Minimale: 1

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