PSMN102-200Y,115
Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | PSMN102-200Y,115 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 102mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 113W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 30.7nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1568pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 115350 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.32 | $1.29 | $1.27 |
Minimale: 1