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PSMN102-200Y,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN102-200Y,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 102mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 113W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max.) 30.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1568pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 115350 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Minimale: 1

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