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PSMN057-200B,118

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN057-200B,118
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 57mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (Max.) 250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 96nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3750pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1550 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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