Image is for reference only , details as Specifications

PRMH2Z

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: PRMH2Z
Beschreibung: PRMH2/SOT1268/DFN1412-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 480mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang 230MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1412-6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 5000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PRMH10Z
Nexperia USA Inc.
$0
PRMD3Z
Nexperia USA Inc.
$0
PRMD16Z
Nexperia USA Inc.
$0
PRMD13Z
Nexperia USA Inc.
$0
PRMD12Z
Nexperia USA Inc.
$0