Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

PRMH11Z

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: PRMH11Z
Beschreibung: PRMH11/SOT1268/DFN1412-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 480mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 230MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1412-6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 3576 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PUMD4,115
Nexperia USA Inc.
$0.34
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PQMH13Z
Nexperia USA Inc.
$0.37
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
$0.37
UMG11NTR
ROHM Semiconductor
$0